发光二极管芯片[实用新型专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：发光二极管芯片专利类型：实用新型专利

发明人：汪延明,姚禹,许亚兵,牛凤娟,侯召男申请号：CN201220003273.8申请日：20120105公开号：CN202423369U公开日：20120905

摘要：本实用新型提供了一种发光二极管芯片，包括：衬底、依次叠置形成于衬底的顶面上的N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、透明导电层、P电极以及N电极，N电极形成于N型半导体层被刻蚀区域的顶面上；还包括第一DBR层和第二DBR层，第一DBR层形成于正对P电极贯通透明导电层的凹陷区域内，第一DBR层的底面形成于P型半导体层的顶面上；衬底的底面形成有第二DBR层。本实用新型提供的芯片用PECVD方法沉积SiO和SiN层交错形成的DBR结构的电流阻挡层，该层可以将垂直入射到电极下方，并被其挡住的光反射至芯片底面上的DBR光反射层上。该光经芯片底面DBR光反射层的漫反射后能改变光的出射角度，绕开电极出射，从而增加了芯片的发光效率。

申请人：湘能华磊光电股份有限公司

地址：423038 湖南省郴州市白露塘有色金属产业园

国籍：CN

代理机构：北京康信知识产权代理有限责任公司

代理人：吴贵明

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