Q62703-Q2050资料

Symbol MULTILED®

5mm (T13/4), Partly Diffused

LU H371

Besondere Merkmale

qnicht eingefärbtes, teilweise diffuses GehäuseqLötspieße im 2. mm Raster

qHohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglichqqqqq

von grün zu gelb und orange nach superrotgeeignet für Multiplex- und Impulsbetrieb

beide Grundfarben grün und rot getrennt ansteuerbarLötspieße mit Aufsetzebenegegurtet lieferbar

Störimpulsfest nach DIN 40839

Features

qpartly diffused, colorless packageq2. mm lead spacing

qhigh signal efficiency by color change of the LED fromqqqqq

green to yellow and orange to superredideal for multiplexed or pulsed operationsboth colors can be controlled separatelysolder leads with stand-offavailable taped on reel

load dump resistant acc. to DIN 40839

EmissionsfarbeColor ofEmissionGehäusefarbeColor ofPackageLichtstärkeLuminousIntensityIF = 10 mAIV (mcd)1.0 ... 8.01.6 ...12.5BestellnummerOrdering CodeTypTypeLU H371-FJLU H371-GKsuper-red / greensuper-red / greencolorless clearpartly diffusedQ62703-Q2050Q62703-Q2051Streuung der Lichtstärke in einer VerpackungseinheitIV max /IV min≤2.0.1)Streuung der Lichtstärke in einer LEDIV max /IV min≤4.0 (LU H371-FJ),≤2.0 (LU H371-GK).1)Bei MULTILED® bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppeder LED.Luminous intensity ratio in one packaging unitIV max /IV min≤2.0.1)Luminous intensity ratio in one LEDIV max /IV min≤4.0 (LU H371-FJ),≤2.0 (LU H371-GK).1)In case of MULTILED®, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group ofthe LED.Semiconductor Group111.96

VEX06728元器件交易网www.cecb2b.com

LU H371

Grenzwerte

Maximum RatingsBezeichnungParameterBetriebstemperaturOperating temperature rangeLagertemperaturStorage temperature rangeSperrschichttemperaturJunction temperatureDurchlaßstromForward currentStoßstromSurge currentt ≤10 µs,D = 0.005VerlustleistungPower dissipationTA≤ 25˚CWärmewiderstandThermal resistenceSperrschicht / LuftJunction / air1)1)

SymbolSymbolWerteValues– 55... + 100– 55... + 100 + 100401)0.51)EinheitUnit˚C˚C˚CmAATopTstgTjIFIFMPtot1401)mWRth JA400K/WBei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden darf die Summe aus Strom und Verlustleistung die angegebeneGrenze nicht überschreiten.

With simultaneous operation of both diodes the sum of the current and the power dissipation must not exceedthe specified limits.

Semiconductor Group2

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LU H371

Kennwerte(TA = 25˚C)CharacteristicsBezeichnungParameterWellenlänge des emittierten LichtesWavelength at peak emissionIF=20 mADominantwellenlängeDominant wavelengthIF=20 mASpektrale Bandbreite bei 50%Irel maxSpectral bandwidth at 50%Irel maxIF=20 mAAbstrahlwinkel bei 50%Iv (Vollwinkel)Viewing angle at 50%IvDurchlaßspannungForward voltageIF=10 mAKapazitätCapacitanceVR= 0 V, f = 1 MHzSchaltzeiten:Switching times:IV from 10% to 90%IV from 90% to 10%IF= 100 mA, tp = 10µs, RL= 50(typ.)(max.)(typ.)(typ.)(typ.)(typ.)(typ.)(typ.)(typ.)SymbolSymbolsuper-redWerteValuesgreen565nm635EinheitUnitλpeakλdom628570nm∆λ4525nm2ϕ1002.02.6121002.02.615Graddeg.VVpFVFVFCO(typ.)(typ.)trtf30050450200nsnsSemiconductor Group3

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LU H371

Relative spektrale EmissionIrel =f (λ),TA= 25˚C,IF= 20 mARelative spectral emission

V(λ) =spektrale Augenempfindlichkeit

Standard eye response curve

AbstrahlcharacteristicIrel =f (ϕ)Radiation characteristic

Semiconductor Group4

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DurchlaßstromIF =f (VF)Forward currentTA = 25˚CZulässige Impulsbelastbarkeit IF =f (tp)Permissible pulse handling capabilityDuty cycle D = parameter,TA = 25˚CSemiconductor GroupLU H371

Relative LichtstärkeIV/IV(10 mA) =f (IF)Relative luminous intensityTA = 25˚C

Maximal zulässiger DurchlaßstromMax. permissible forward currentIF =f (TA)

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Wellenlänge der Strahlungλpeak=f (TA)Wavelangth at peak emissionIF = 20 mADurchlaßspannungVF =f (TA)Forward voltageIF = 10 mASemiconductor GroupLU H371

Dominantwellenlänge λdom=f (TA)Relative luminous intensityIF = 20 mA

Relative LichtstärkeIV/IV(25˚C ) =f (TA)Relative luminous intensityIF = 10 mA

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LU H371

MaßzeichnungPackage Outlines(Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)(Dimensions in mm, unless otherwise specified)

Kathodenkennzeichnung:Cathode mark:Mittlerer LötspießMiddle solder lead

Semiconductor Group7

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