专利名称：模仿存储器装置中的编程验证漏极电阻专利类型：发明专利发明人：弗朗姬·F·鲁帕尔瓦尔申请号：CN200780015739.8申请日：20070504公开号：CN101432821A公开日：20090513
摘要：用编程验证电压使选定字线偏置。用经修改的V通过电压使所述选定字线与位线之间预定数量的未固定填块1≥≤偏置，所述经修改的V通过电压是响应于预定漏极电阻而确定的。在一个实施例中，所述预定数量是全部字线。其它实施例可使用较小的数量。用正常的V通过电压使剩余未选定字线偏置。所述经修改的V通过改变在编程验证操作期间充当通过门的存储器单元的电阻，以模仿已经编程的存储器单元的电阻。
申请人：美光科技公司
地址：美国爱达荷州
国籍：US
代理机构：北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人：王允方
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