稳压二极管及其加工工艺[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：稳压二极管及其加工工艺专利类型：发明专利发明人：张淑云

申请号：CN201410812041.0申请日：20141222公开号：CN104659110A公开日：20150527

摘要：本发明提供一种稳压二极管及其加工工艺，稳压二极管芯片工艺设计使用N/N-双外延片，钝化层包括由下到上依次设置的二氧化硅、磷硅玻璃和氮化硅，磷硅玻璃厚度为3000埃，掺磷2％；工艺中采用PECVD工艺，用光刻胶替代传统工艺中的紫外高分子聚合塑料膜。本发明稳压二极管芯片采用双外延层结构制作工艺技术，简化工艺步骤，降低生产成本，同时提高器件性能；用光刻胶替代传统工艺中的紫外高分子聚合塑料膜，降低成本同时保护环境。

申请人：天津天物金佰微电子有限公司

地址：300385 天津市西青区西青经济技术开发区赛达工业园5号厂房

国籍：CN

代理机构：天津滨海科纬知识产权代理有限公司

代理人：韩敏

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