闪存控制方法及装置[发明专利]

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专利名称：闪存控制方法及装置专利类型：发明专利发明人：李国强,成晓华申请号：CN201010130682.X申请日：20100323公开号：CN101799793A公开日：20100811

摘要：本发明公开了闪存存储技术领域的一种闪存控制方法及装置。所述闪存控制方法，包括步骤：设定元操作，并建立元操作库；根据需要执行的命令序列，从元操作库中提取相应的元操作并组合为队列；执行组合后的队列，实现需要执行的命令序列的功能。所述闪存控制装置，可使得闪存控制器不需要理会各种操作的命令序列，只需要执行命令序列对应的元操作，可提升闪存控制器的兼容性；且可在元操作处理中引入流水线(Pipeline)技术，以提升处理效率。

申请人：深圳市硅格半导体有限公司

地址：518057 广东省深圳市南山区高新区南区科苑南路留学生创业大厦2208号

国籍：CN

代理机构：深圳市世纪恒程知识产权代理事务所

代理人：胡海国

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