晶圆的测试方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：晶圆的测试方法专利类型：发明专利发明人：谢晋春,辛吉升申请号：CN201911231807.5申请日：20191205公开号：CN111077428A公开日：20200428

摘要：本发明公开了一种晶圆测试方法：步骤一，在探针测试机台上设置电子硅片分类图及走向参数及初始测试温度T0，品种参数名称记为Tmap；步骤二，撰写测试程序，初始温度T0测试的对应测试流程记为Flow0；在测试程序中，温度点T1～Tn以及对应的测试流程Flow1～Flown；测试程序记为Tprog；步骤三，探针测试机台调用品种参数Tmap 进行晶粒扎针位置对位确认；步骤四，调用测试程序Tprog；步骤五，全部测试区域执行测试Flow0；步骤六，当T0测试完成后，把测试温度设定到T1；步骤七,探针卡重新对应到第一个晶粒坐标位置；步骤八,进行测试；步骤九，测试程序Tprog按照电子硅片分类图要求的区域，进行全部测试区域测试Flow1；步骤十，要测试温度Tn条件时，仿照重复步骤六到步骤九操作。

申请人：上海华虹宏力半导造有限公司

地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

国籍：CN

代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：焦健

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