专利名称：半导体器件及其测试方法专利类型：发明专利发明人：山田义明申请号：CN97121941.9申请日：19971121公开号：CN11830A公开日：19980603
摘要：一种在金属膜形成后及在金属膜加工图形前立即测试半导体器件而不损坏基片的方法。它先将基片分为产品区及测试图形区。再在基片上形成绝缘膜。再后,在绝缘膜内及在产品区和测试图形区上形成窗孔。接着,在窗孔内及在绝缘膜上形成金属膜。最后对金属膜进行图形加工形成布线图形。对测试图形区的窗孔中金属膜的形成状态作真实测试。检查是否存在空洞。以此结果,估价产品区内窗孔中金属膜的形成状态。
申请人：日本电气株式会社
地址：日本国东京都
国籍：JP
代理机构：中科专利代理有限责任公司
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