专利名称：一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制
作方法
专利类型：发明专利发明人：酉艳宁
申请号：CN201610996866.1申请日：20161114公开号：CN106340806A公开日：20170118
摘要：本发明公开了一种波长为650nm的分布反馈半导体激光器的制作方法，其包含以下步骤：(1)采用MOCVD外延在N‑GaAs衬底上获得一次外延材料；(2)在一次外延材料的p‑InGaAsP光栅层制作光栅；(3)二次外延上包层和接触层；(4)进行脊波导激光器工艺实现器件的制备。该激光器采用张应变InGaP/AlGaInP有源区以及张应变InGaP刻蚀停止层，可实现高寿命、低阈值、性能均一的650nm的分布反馈半导体激光器。
申请人：北京青辰光电科技有限公司
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国籍：CN
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