NMOS管的输出特性

a NMOS管的输出特性仿真结果与分析说明，取L=2um,W（单位为um)的值依据自己的学号设定。即NMOS管的宽长比（W/L）等于自己的学号的最后两位数。

图 a.1 原理图 （W=u，L=2u） 图 a.2仿真结果

b.取L=0.5 um, W的值依据自己的学号设定。即NMOS管的宽长比（W/L）等于自己的学号的最后两位数。

图 b.1 原理图 (W=13.5u,L=0.5u) 图 b.2 仿真结果

c：取L=0.5 um, W的值依据自己的学号设定。即NMOS管的宽长比（W/L）等于自己的学号的最后两位数。

图 c.1 原理图 (W=13.5u,L=0.5u) 图 c.2 仿真结果

分析说明：①图a.2的W=u，L=2u，图b.2的W=13.5u，L=0.5u，但它们的宽长比相等，从两个仿真图可以计算对比看出：当vdd大于驱动电压时，id随着vdd的变化中，图b.2的漏电流变化增量比图a.2的变化增量大，即长L取得越大它工作在保和区的漏电流越稳定受它影响小，但是对应相同的vddL取得大的漏电流小。

②图b.2和图c.2的宽、长取值都相同，但图c.2的vbs=-0.4v ，而图b.2vbs=0，即图c.2存在体效应，随

着vin（vgs）增大，源和衬底的电压差增大，导致开启电压vth增大，过驱动电压降低。

2.以VG为参数，对于每种组合结构，画出IX关于VX的函数曲线草图和写出解析式,同时采用EDA软件验证。假设λ=γ=0。

图二.a

当VGS=2V时PMOS打开,NMOS打开 图二.b 当VGS= -2V时PMOS打开,NMOS关断

分析说明：

当VGS=2V，时PMOS,NMOS打开,当VDS较大时也将会有电流流过PMOS管； 当VGS= -2V时PMOS打开,NMOS关断。Ix=ISP+IDN=

1W1W

UnCox()(Vx−VG−|Vthp|)2+UnCox()[(Vg−Vth)−Vx]2 2L2L

图二.c

当VGS=2V 图二.d 当VGS=-2V时

分析说明：当VGS=2V时PMOS,NMOS打开，当VDS增大到一定程度时（VDS>2.8V）将会有电流流过PMOS管；VGS= -2V时PMOS打开,NMOS关断。