一种硅片的处理方法[发明专利]

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专利内容由知识产权出版社提供

专利名称：一种硅片的处理方法专利类型：发明专利发明人：赵向阳

申请号：CN201711271080.4申请日：20171205公开号：CN109872941A公开日：20190611

摘要：本发明涉及一种硅片的处理方法，包括以下步骤：取一硅片进行氧化处理，以在所述硅片表面形成氧化膜；对所述硅片进行低温加热处理，使所述硅片内部的金属离子扩散至所述硅片表面的氧化膜中；去除所述硅片表面的氧化膜；清洁所述硅片。通过对所述硅片进行氧化处理形成氧化膜，氧化膜有吸附金属离子的功能；对所述硅片进行低温加热处理，使所述金属离子向所述硅片表面扩散，所述金属离子会附着在所述氧化膜上，以去除所述硅片内部的金属离子；通过酸性腐蚀溶液等腐蚀所述硅片表面，可以腐蚀掉所述硅片表面的氧化膜和附着在氧化膜上的金属离子，达到去除所述硅片中金属离子的目的，使所述硅片中金属离子去除的更有效。

申请人：上海新昇半导体科技有限公司

地址：201306 上海市浦东新区泥城镇云水路1000号

国籍：CN

代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：罗磊

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